RGW80TK65EGVC11
零件编号：
RGW80TK65EGVC11
产品分类：
单 IGBT
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
规格
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- IGBT类型 Trench Field Stop
- 输入类型 Standard
- 集电极脉冲电流 (Icm) 160 A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 650 V
- 集电极电流 (Ic)（最大） 39 A
- 测试条件 400V, 40A, 10Ohm, 15V
- 包装/箱 TO-3PFM, SC-93-3
- 供应商设备包 TO-3PFM
- 栅极电荷 110 nC
- 反向恢复时间 (trr) 102 ns
- Vce(on)（最大值）@Vge, Ic 1.9V @ 15V, 40A
- 功率 - 最大 81 W
- 开关能量 760µJ (on), 720µJ (off)
- Td（开/关）@ 25°C 44ns/143ns