GT30J65MRB,S1E
零件编号：
GT30J65MRB,S1E
产品分类：
单 IGBT
制造商：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述：
650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
规格
- 安装类型 Through Hole
- 功率 - 最大 200 W
- 包装/箱 TO-3P-3, SC-65-3
- 输入类型 Standard
- 工作温度 175°C (TJ)
- 反向恢复时间 (trr) 200 ns
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 650 V
- 集电极电流 (Ic)（最大） 60 A
- 栅极电荷 70 nC
- 供应商设备包 TO-3P(N)
- Vce(on)（最大值）@Vge, Ic 1.8V @ 15V, 30A
- 开关能量 1.4mJ (on), 220µJ (off)
- Td（开/关）@ 25°C 75ns/400ns
- 测试条件 400V, 15A, 56Ohm, 15V