规格
- 安装类型 Through Hole
- 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
- 电压 - 直流反向 (Vr)（最大） 650 V
- Current - Average Rectified (Io) 20A
- 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
- 包装/箱 TO-220-2
- 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
- 供应商设备包 TO-220-2
- 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 1.65 V @ 30 A
- 电流 - 反向漏电流@Vr 75 µA @ 650 V
- Capacitance @ Vr, F 1247pF @ 1V, 1MHz