规格
- 安装类型 Through Hole
- 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
- 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
- 反向恢复时间 (trr) 0 ns
- 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
- 电压 - 直流反向 (Vr)（最大） 1200 V
- 供应商设备包 TO-247
- 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 1.8 V @ 10 A
- 包装/箱 TO-247-2
- 电流 - 反向漏电流@Vr 200 µA @ 1200 V
- Current - Average Rectified (Io) 43A
- Capacitance @ Vr, F 630pF @ 1V, 1MHz