SIGC121T60NR2CX1SA2
Номер детали:
SIGC121T60NR2CX1SA2
Категория продукта:
Одиночные IGBT
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Описание:
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
Упаковка:
-
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
Характеристики
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс Die
- Пакет устройств поставщика Die
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 600 V
- Тип ввода Standard
- Тип БТИЗ NPT
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 150 A
- Ток-коллекторный импульсный (Icm) 450 A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 150A
- Td (вкл/выкл) при 25°C 125ns/225ns
- Условия испытания 300V, 150A, 1.5Ohm, 15V