RGT8TM65DGC9

RGT8TM65DGC9

Номер детали: RGT8TM65DGC9
Категория продукта: Одиночные IGBT
Производитель: ROHM Semiconductor
Описание: IGBT TRENCH FLD 650V 5A TO220NFM
Упаковка: Tube
Состояние ROHS: Да
Валюта: USD

Характеристики

  • Тип монтажа Through Hole
  • Мощность - Макс. 16 W
  • Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип БТИЗ Trench Field Stop
  • Тип ввода Standard
  • Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 5 A
  • Время обратного восстановления (trr) 40 ns
  • Пакет/кейс TO-220-3 Full Pack
  • Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 V
  • Ток-коллекторный импульсный (Icm) 12 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
  • Пакет устройств поставщика TO-220NFM
  • Заряд от ворот 13.5 nC
  • Td (вкл/выкл) при 25°C 17ns/69ns
  • Условия испытания 400V, 4A, 50Ohm, 15V