IFS100B12N3E4B31BOSA1
Номер детали:
IFS100B12N3E4B31BOSA1
Категория продукта:
БТИЗ-модули
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Описание:
IGBT MOD 1200V 200A 515W
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Chassis Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C
- Пакет/кейс Module
- Пакет устройств поставщика Module
- Конфигурация Full Bridge
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 V
- Вход Standard
- НТЦ-термистор Yes
- Тип БТИЗ Trench Field Stop
- Ток-отсечка коллектора (макс.) 1 mA
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 200 A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
- Мощность - Макс. 515 W
- Входная емкость (Cies) при Vce 6.3 nF @ 25 V