HGTG10N120BND
Номер детали:
HGTG10N120BND
Категория продукта:
Одиночные IGBT
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание:
IGBT NPT 1200V 35A TO247-3
Упаковка:
-
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 V
- Ток-коллекторный импульсный (Icm) 80 A
- Тип ввода Standard
- Пакет/кейс TO-247-3
- Пакет устройств поставщика TO-247-3
- Тип БТИЗ NPT
- Время обратного восстановления (trr) 70 ns
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 35 A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
- Мощность - Макс. 298 W
- Заряд от ворот 100 nC
- Td (вкл/выкл) при 25°C 23ns/165ns
- Условия испытания 960V, 10A, 10Ohm, 15V
- Переключение энергии 850µJ (on), 800µJ (off)