HGT1S3N60A4DS9A
Номер детали:
HGT1S3N60A4DS9A
Категория продукта:
Одиночные IGBT
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Описание:
N-CHANNEL IGBT
Упаковка:
-
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
Характеристики
- Тип монтажа Surface Mount
- Мощность - Макс. 70 W
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 600 V
- Тип ввода Standard
- Пакет устройств поставщика TO-263 (D2PAK)
- Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Заряд от ворот 21 nC
- Ток-коллекторный импульсный (Icm) 40 A
- Время обратного восстановления (trr) 29 ns
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 17 A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 3A
- Переключение энергии 37µJ (on), 25µJ (off)
- Td (вкл/выкл) при 25°C 6ns/73ns
- Условия испытания 390V, 3A, 50Ohm, 15V