F4-50R07W2H3_B51

F4-50R07W2H3_B51

Номер детали: F4-50R07W2H3_B51
Категория продукта: БТИЗ-модули
Производитель: IR (Infineon Technologies)
Описание: IGBT MODULE VCES 650V 50A
Упаковка: -
Состояние ROHS: Да
Валюта: USD
PDF: Данные

Характеристики

  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Пакет/кейс Module
  • Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Пакет устройств поставщика Module
  • Вход Standard
  • НТЦ-термистор Yes
  • Ток-отсечка коллектора (макс.) 1 mA
  • Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 V
  • Конфигурация Full Bridge Inverter
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 25A
  • Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 65 A
  • Мощность - Макс. 520 W
  • Входная емкость (Cies) при Vce 2.95 nF @ 25 V