DF80R12W2H3B11BOMA1
Номер детали:
DF80R12W2H3B11BOMA1
Категория продукта:
БТИЗ-модули
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Описание:
IGBT MODULE
Упаковка:
-
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
Характеристики
- Тип монтажа Chassis Mount
- Пакет/кейс Module
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 V
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 50 A
- Вход Standard
- НТЦ-термистор Yes
- Ток-отсечка коллектора (макс.) 1 mA
- Мощность - Макс. 190 W
- Конфигурация Dual Boost Chopper
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 20A
- Входная емкость (Cies) при Vce 2.35 nF @ 25 V