DF75R12W1H4FB11BOMA2
Номер детали:
DF75R12W1H4FB11BOMA2
Категория продукта:
БТИЗ-модули
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Описание:
IGBT MOD 1200V 25A 20MW
Упаковка:
-
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
Характеристики
- Тип монтажа Chassis Mount
- Мощность - Макс. 20 mW
- Пакет/кейс Module
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет устройств поставщика Module
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 V
- Вход Standard
- НТЦ-термистор Yes
- Конфигурация Three Phase Inverter
- Ток-отсечка коллектора (макс.) 1 mA
- Входная емкость (Cies) при Vce 2 nF @ 25 V
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 25 A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 25A