DF200R12KE3HOSA1
Номер детали:
DF200R12KE3HOSA1
Категория продукта:
БТИЗ-модули
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Описание:
IGBT MODULE 1200V 1040W
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Chassis Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 125°C
- Пакет/кейс Module
- Пакет устройств поставщика Module
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 V
- Конфигурация Single
- Вход Standard
- НТЦ-термистор No
- Ток-отсечка коллектора (макс.) 5 mA
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
- Входная емкость (Cies) при Vce 14 nF @ 25 V
- Мощность - Макс. 1040 W