APTGT75A1202G
Номер детали:
APTGT75A1202G
Категория продукта:
БТИЗ-модули
Производитель:
Microsemi Corporation
Описание:
IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP2
Упаковка:
-
Состояние ROHS:
Нет
Валюта:
USD
Характеристики
- Тип монтажа Chassis Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 V
- Вход Standard
- Тип БТИЗ Trench Field Stop
- НТЦ-термистор No
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 110 A
- Мощность - Макс. 357 W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
- Входная емкость (Cies) при Vce 5.34 nF @ 25 V
- Конфигурация Half Bridge
- Ток-отсечка коллектора (макс.) 50 µA
- Пакет устройств поставщика SP2
- Пакет/кейс SP2