APTGT100A120D1G
Номер детали:
APTGT100A120D1G
Категория продукта:
БТИЗ-модули
Производитель:
Microsemi Corporation
Описание:
IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1
Упаковка:
-
Состояние ROHS:
Нет
Валюта:
USD
Характеристики
- Тип монтажа Chassis Mount
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 V
- Вход Standard
- Тип БТИЗ Trench Field Stop
- НТЦ-термистор No
- Конфигурация Half Bridge
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
- Ток-отсечка коллектора (макс.) 3 mA
- Входная емкость (Cies) при Vce 7 nF @ 25 V
- Пакет/кейс D1
- Пакет устройств поставщика D1
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 150 A
- Мощность - Макс. 520 W