Коллекция Сравнение
GT50JR22(STA1,E,S)
Номер запчасти：
GT50JR22(STA1,E,S)
Классификация продуктов：
Дискретные полупроводниковые изделия
Производитель：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание：
PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS
Упаковка：
Tube
Состояние ROHS：
Yes
Валюта：
USD
PDF:
Купить сразу Добавить в корзину
Запасы 1600
Минимум : 0
Количество
Стоимость единицы
Цены
1
4.7
4.7
25
3.72
93
100
3.19
319
500
2.84
1420
1000
2.43
2430
2000
2.29
4580
Спецификация
  • Пакет/кейс
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Тип монтажа
    Through Hole
  • Рабочая Температура
    175°C (TJ)
  • Тип ввода
    Standard
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 50A
  • Пакет устройств поставщика
    TO-3P(N)
  • Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
    50 A
  • Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
    600 V
  • Ток-коллекторный импульсный (Icm)
    100 A
  • Мощность - Макс.
    230 W
  • 13670023222

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Количество: {{ val.quantity }}

Представлено

Он пуст.