Коллекция Сравнение
GT10J312(Q)
Номер запчасти：
GT10J312(Q)
Классификация продуктов：
Дискретные полупроводниковые изделия
Производитель：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание：
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Упаковка：
Состояние ROHS：
None
Валюта：
USD
RFQ Добавить в список RFQ
Запасы 1600
Отправьте запрос, мы ответим немедленно.
Быстрый запрос
Спецификация
  • Пакет/кейс
    TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • Тип монтажа
    Through Hole
  • Рабочая Температура
    150°C (TJ)
  • Тип ввода
    Standard
  • Время обратного восстановления (trr)
    200 ns
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 10A
  • Td (вкл/выкл) при 25°C
    400ns/400ns
  • Условия испытания
    300V, 10A, 100Ohm, 15V
  • Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
    10 A
  • Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
    600 V
  • Ток-коллекторный импульсный (Icm)
    20 A
  • Мощность - Макс.
    60 W
  • 13670023222

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Количество: {{ val.quantity }}

Представлено

Он пуст.