NXH350N100H4Q2F2S1G-R

NXH350N100H4Q2F2S1G-R

부품 번호: NXH350N100H4Q2F2S1G-R
제품 분류: IGBT 모듈
제조사: Sanyo Semiconductor/onsemi
설명: GEN1.5 1500V MASS MARKET
패키징: Tray
ROHS 상태: 예스
통화: USD
PDF: 자료 자료

규격

  • 장착 유형 Chassis Mount
  • 패키지/케이스 Module
  • 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 입력 Standard
  • NTC 서미스터 Yes
  • IGBT 유형 Trench Field Stop
  • 전류 - 컬렉터 컷오프(최대) 1 mA
  • 전압 - 콜렉터 이미터 고장(최대) 1000 V
  • 구성 Three Level Inverter
  • 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 303 A
  • Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 375A
  • 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 24.146 nF @ 20 V
  • 공급자 장치 패키지 42-PIM/Q2PACK (93x47)
  • 전력 - 최대 592 W