HGTP10N120BN

HGTP10N120BN

부품 번호: HGTP10N120BN
제품 분류: 단일 IGBT
제조사: Sanyo Semiconductor/onsemi
설명: IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
패키징: -
ROHS 상태: 예스
통화: USD

규격

  • 장착 유형 Through Hole
  • 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 패키지/케이스 TO-220-3
  • 전압 - 콜렉터 이미터 고장(최대) 1200 V
  • 전류 - 컬렉터 펄스(Icm) 80 A
  • 입력 유형 Standard
  • 공급자 장치 패키지 TO-220-3
  • IGBT 유형 NPT
  • 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 35 A
  • Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
  • 전력 - 최대 298 W
  • 스위칭 에너지 320µJ (on), 800µJ (off)
  • 게이트 요금 100 nC
  • Td(켜기/끄기) @ 25°C 23ns/165ns
  • 테스트 조건 960V, 10A, 10Ohm, 15V