GT50JR22(STA1,E,S)

GT50JR22(STA1,E,S)

부품 번호: GT50JR22(STA1,E,S)
제품 분류: 단일 IGBT
제조사: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
설명: PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS
패키징: Tube
ROHS 상태： 예스
통화: USD
PDF： 자료

규격

  • 장착 유형 Through Hole
  • 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 50 A
  • 전압 - 콜렉터 이미터 고장(최대) 600 V
  • 패키지/케이스 TO-3P-3, SC-65-3
  • 입력 유형 Standard
  • 작동 온도 175°C (TJ)
  • 전류 - 컬렉터 펄스(Icm) 100 A
  • 공급자 장치 패키지 TO-3P(N)
  • Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A
  • 전력 - 최대 230 W