GT30J65MRB,S1E
부품 번호:
GT30J65MRB,S1E
제품 분류:
단일 IGBT
제조사:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
설명:
650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-
패키징:
Tube
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
규격
- 장착 유형 Through Hole
- 전력 - 최대 200 W
- 패키지/케이스 TO-3P-3, SC-65-3
- 입력 유형 Standard
- 작동 온도 175°C (TJ)
- 역복구 시간(trr) 200 ns
- 전압 - 콜렉터 이미터 고장(최대) 650 V
- 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 60 A
- 게이트 요금 70 nC
- 공급자 장치 패키지 TO-3P(N)
- Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 30A
- 스위칭 에너지 1.4mJ (on), 220µJ (off)
- Td(켜기/끄기) @ 25°C 75ns/400ns
- 테스트 조건 400V, 15A, 56Ohm, 15V