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GT60N321(Q)
부품 번호：
GT60N321(Q)
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
설명：
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
포장：
ROHS 상태：
None
화폐：
USD
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재고 1600
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사양
  • 패키지/케이스
    TO-3PL
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 입력 유형
    Standard
  • 역복구 시간(trr)
    2.5 µs
  • Vce(on)(최대) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 60A
  • 공급자 장치 패키지
    TO-3P(LH)
  • Td(켜기/끄기) @ 25°C
    330ns/700ns
  • 전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
    60 A
  • 전압 - 콜렉터 이미터 고장(최대)
    1000 V
  • 전류 - 컬렉터 펄스(Icm)
    120 A
  • 전력 - 최대
    170 W
  • 13670023222

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