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GT50JR22(STA1,E,S)
부품 번호：
GT50JR22(STA1,E,S)
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
설명：
PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS
포장：
Tube
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
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단가
가격
1
4.7
4.7
25
3.72
93
100
3.19
319
500
2.84
1420
1000
2.43
2430
2000
2.29
4580
사양
  • 패키지/케이스
    TO-3P-3, SC-65-3
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 작동 온도
    175°C (TJ)
  • 입력 유형
    Standard
  • Vce(on)(최대) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 50A
  • 공급자 장치 패키지
    TO-3P(N)
  • 전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
    50 A
  • 전압 - 콜렉터 이미터 고장(최대)
    600 V
  • 전류 - 컬렉터 펄스(Icm)
    100 A
  • 전력 - 최대
    230 W
  • 13670023222

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