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GPA030A135MN-FDR
부품 번호：
GPA030A135MN-FDR
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
SemiQ
설명：
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
포장：
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
PDF:
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재고 1600
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사양
  • 패키지/케이스
    TO-3P-3, SC-65-3
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 입력 유형
    Standard
  • 역복구 시간(trr)
    450 ns
  • Vce(on)(최대) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 30A
  • 공급자 장치 패키지
    TO-3PN
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • Td(켜기/끄기) @ 25°C
    30ns/145ns
  • 스위칭 에너지
    4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
  • 테스트 조건
    600V, 30A, 5Ohm, 15V
  • 게이트 요금
    300 nC
  • 전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
    60 A
  • 전압 - 콜렉터 이미터 고장(최대)
    1350 V
  • 전류 - 컬렉터 펄스(Icm)
    90 A
  • 전력 - 최대
    329 W
  • 13670023222

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