RGT8NS65DGC9
部品番号：
RGT8NS65DGC9
製品分類：
シングル IGBT
製造業者：
ROHM Semiconductor
説明：
IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO262
パッケージ：
Tube
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
仕様
- 取付タイプ Through Hole
- 動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- IGBTの種類 Trench Field Stop
- 入力方式 Standard
- 逆回復時間 (trr) 40 ns
- サプライヤーデバイスパッケージ TO-262
- パッケージ・ケース TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- 電流 - コレクタ (Ic) (最大) 8 A
- 電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) 650 V
- 電流 - コレクタパルス (Icm) 12 A
- Vce(on) (最大) @ Vge、Ic 2.1V @ 15V, 4A
- パワー - 最大 65 W
- ゲートチャージ 13.5 nC
- Td (オン/オフ) @ 25°C 17ns/69ns
- 試験条件 400V, 4A, 50Ohm, 15V