NXH350N100H4Q2F2S1G-R

NXH350N100H4Q2F2S1G-R

部品番号: NXH350N100H4Q2F2S1G-R
製品分類: IGBTモジュール
製造業者: Sanyo Semiconductor/onsemi
説明: GEN1.5 1500V MASS MARKET
パッケージ: Tray
ROHS状態: はい
通貨: USD
PDF: 資料 資料

仕様

  • 取付タイプ Chassis Mount
  • パッケージ・ケース Module
  • 動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 入力 Standard
  • NTCサーミスタ Yes
  • IGBTの種類 Trench Field Stop
  • 電流 - コレクタカットオフ (最大) 1 mA
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) 1000 V
  • 構成 Three Level Inverter
  • 電流 - コレクタ (Ic) (最大) 303 A
  • Vce(on) (最大) @ Vge、Ic 2.3V @ 15V, 375A
  • 入力容量 (Cies) @ Vce 24.146 nF @ 20 V
  • サプライヤーデバイスパッケージ 42-PIM/Q2PACK (93x47)
  • パワー - 最大 592 W