HGTP5N120BND

HGTP5N120BND

部品番号: HGTP5N120BND
製品分類: シングル IGBT
製造業者: Sanyo Semiconductor/onsemi
説明: IGBT NPT 1200V 21A TO220-3
パッケージ: -
ROHS状態: はい
通貨: USD

仕様

  • 取付タイプ Through Hole
  • 動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • パッケージ・ケース TO-220-3
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) 1200 V
  • パワー - 最大 167 W
  • 入力方式 Standard
  • サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-3
  • ゲートチャージ 53 nC
  • 逆回復時間 (trr) 65 ns
  • IGBTの種類 NPT
  • 電流 - コレクタパルス (Icm) 40 A
  • 電流 - コレクタ (Ic) (最大) 21 A
  • Vce(on) (最大) @ Vge、Ic 2.7V @ 15V, 5A
  • スイッチングエネルギー 450µJ (on), 390µJ (off)
  • Td (オン/オフ) @ 25°C 22ns/160ns
  • 試験条件 960V, 5A, 25Ohm, 15V