GT50JR21(STA1,E,S)

GT50JR21(STA1,E,S)

部品番号： GT50JR21(STA1,E,S)
製品分類： シングル IGBT
製造業者： Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
説明： PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS
パッケージ： Tube
ROHS状態： はい
通貨： USD
PDF： 資料

仕様

  • 取付タイプ Through Hole
  • 電流 - コレクタ (Ic) (最大) 50 A
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) 600 V
  • パッケージ・ケース TO-3P-3, SC-65-3
  • 入力方式 Standard
  • 動作温度 175°C (TJ)
  • 電流 - コレクタパルス (Icm) 100 A
  • サプライヤーデバイスパッケージ TO-3P(N)
  • パワー - 最大 230 W
  • Vce(on) (最大) @ Vge、Ic 2V @ 15V, 50A