GT30J65MRB,S1E
部品番号：
GT30J65MRB,S1E
製品分類：
シングル IGBT
製造業者：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
説明：
650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-
パッケージ：
Tube
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
仕様
- 取付タイプ Through Hole
- パワー - 最大 200 W
- パッケージ・ケース TO-3P-3, SC-65-3
- 入力方式 Standard
- 動作温度 175°C (TJ)
- 逆回復時間 (trr) 200 ns
- 電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) 650 V
- 電流 - コレクタ (Ic) (最大) 60 A
- ゲートチャージ 70 nC
- サプライヤーデバイスパッケージ TO-3P(N)
- Vce(on) (最大) @ Vge、Ic 1.8V @ 15V, 30A
- スイッチングエネルギー 1.4mJ (on), 220µJ (off)
- Td (オン/オフ) @ 25°C 75ns/400ns
- 試験条件 400V, 15A, 56Ohm, 15V