仕様
- 取付タイプ Through Hole
- テクノロジー SiC (Silicon Carbide) Schottky
- 電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大) 650 V
- Current - Average Rectified (Io) 20A
- スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
- パッケージ・ケース TO-220-2
- 動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 175°C
- サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-2
- 電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If 1.65 V @ 30 A
- 電流 - 逆漏れ電流 @ Vr 75 µA @ 650 V
- Capacitance @ Vr, F 1247pF @ 1V, 1MHz