仕様
- 取付タイプ Through Hole
- テクノロジー SiC (Silicon Carbide) Schottky
- 電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大) 650 V
- スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
- 逆回復時間 (trr) 0 ns
- パッケージ・ケース TO-220-2
- 動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 175°C
- Current - Average Rectified (Io) 8A
- サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-2
- 電流 - 逆漏れ電流 @ Vr 20 µA @ 650 V
- 電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If 1.6 V @ 8 A
- Capacitance @ Vr, F 336pF @ 1V, 1MHz