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GT50JR22(STA1,E,S)
部品番号：
GT50JR22(STA1,E,S)
製品分類：
ディスクリート半導体製品
製造元：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
説明：
PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS
ほうそう：
Tube
ROHS状態：
Yes
通貨＃ツウカ＃：
USD
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ストック 1600
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数量
単価
価格
1
4.7
4.7
25
3.72
93
100
3.19
319
500
2.84
1420
1000
2.43
2430
2000
2.29
4580
仕様
  • パッケージ・ケース
    TO-3P-3, SC-65-3
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • 動作温度
    175°C (TJ)
  • 入力方式
    Standard
  • Vce(on) (最大) @ Vge、Ic
    2.2V @ 15V, 50A
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-3P(N)
  • 電流 - コレクタ (Ic) (最大)
    50 A
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)
    600 V
  • 電流 - コレクタパルス (Icm)
    100 A
  • パワー - 最大
    230 W
  • 13670023222

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

数量: {{ val.quantity }}

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