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GPA030A135MN-FDR
部品番号：
GPA030A135MN-FDR
製品分類：
ディスクリート半導体製品
製造元：
SemiQ
説明：
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
ほうそう：
ROHS状態：
Yes
通貨＃ツウカ＃：
USD
PDF:
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ストック 1600
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仕様
  • パッケージ・ケース
    TO-3P-3, SC-65-3
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 入力方式
    Standard
  • 逆回復時間 (trr)
    450 ns
  • Vce(on) (最大) @ Vge、Ic
    2.4V @ 15V, 30A
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-3PN
  • IGBTの種類
    Trench Field Stop
  • Td (オン/オフ) @ 25°C
    30ns/145ns
  • スイッチングエネルギー
    4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
  • 試験条件
    600V, 30A, 5Ohm, 15V
  • ゲートチャージ
    300 nC
  • 電流 - コレクタ (Ic) (最大)
    60 A
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)
    1350 V
  • 電流 - コレクタパルス (Icm)
    90 A
  • パワー - 最大
    329 W
  • 13670023222

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