WNSC5D086506Q
Numéro de pièce :
WNSC5D086506Q
Catégorie de produit :
Diodes simples
Fabricant :
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Description :
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Emballage :
-
Statut ROHS :
Non
Monnaie :
USD
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky
- Tension - CC inverse (Vr) (Max) 650 V
- Vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
- Temps de récupération inversée (trr) 0 ns
- Colis/Caisse TO-220-2
- Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
- Package d'appareil du fournisseur TO-220AC
- Current - Average Rectified (Io) 8A
- Tension - Direct (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 8 A
- Courant - Fuite inverse @ Vr 40 µA @ 650 V
- Capacitance @ Vr, F 267pF @ 1V, 1MHz