NXH50M65L4Q1SG
Numéro de pièce :
NXH50M65L4Q1SG
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
Sanyo Semiconductor/onsemi
Description :
Q1PACK 50A 650V
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Type de montage Chassis Mount
- Colis/Caisse Module
- Configuration Full Bridge
- Saisir Standard
- Thermistance CTN Yes
- Type IGBT Trench Field Stop
- Température de fonctionnement 175°C (TJ)
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 48 A
- Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max) 650 V
- Courant - Coupure du collecteur (Max) 300 µA
- Puissance - Max 86 W
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.22V @ 15V, 50A
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.137 nF @ 20 V
- Package d'appareil du fournisseur 56-PIM (93x47)