NXH200T120H3Q2F2SG
Numéro de pièce :
NXH200T120H3Q2F2SG
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
Sanyo Semiconductor/onsemi
Description :
80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Type de montage Chassis Mount
- Colis/Caisse Module
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max) 1200 V
- Saisir Standard
- Type IGBT Trench Field Stop
- Thermistance CTN No
- Configuration Half Bridge
- Courant - Coupure du collecteur (Max) 500 µA
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 330 A
- Puissance - Max 679 W
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 35.615 nF @ 25 V
- Package d'appareil du fournisseur 56-PIM/Q2PACK (93x47)