DF80R12W2H3B11BOMA1
Numéro de pièce :
DF80R12W2H3B11BOMA1
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
IR (Infineon Technologies)
Description :
IGBT MODULE
Emballage :
-
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Type de montage Chassis Mount
- Colis/Caisse Module
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
- Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max) 1200 V
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50 A
- Saisir Standard
- Thermistance CTN Yes
- Courant - Coupure du collecteur (Max) 1 mA
- Puissance - Max 190 W
- Configuration Dual Boost Chopper
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 20A
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 2.35 nF @ 25 V