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GT50JR22(STA1,E,S)
Numéro de pièce：
GT50JR22(STA1,E,S)
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Description：
PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS
Emballage：
Tube
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
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Quantité
Prix unitaire
Prix
1
4.7
4.7
25
3.72
93
100
3.19
319
500
2.84
1420
1000
2.43
2430
2000
2.29
4580
Spécifications
  • Colis/Caisse
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Type de montage
    Through Hole
  • Température de fonctionnement
    175°C (TJ)
  • Type d'entrée
    Standard
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 50A
  • Package d'appareil du fournisseur
    TO-3P(N)
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max)
    50 A
  • Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)
    600 V
  • Courant - Collecteur pulsé (Icm)
    100 A
  • Puissance - Max
    230 W
  • 13670023222

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Quantité: {{ val.quantity }}

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