RGW50TK65GVC11
Número de pieza:
RGW50TK65GVC11
Clasificación de productos:
IGBT individuales
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
USD
Especificaciones
- Tipo de montaje Through Hole
- Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo IGBT Trench Field Stop
- Tipo de entrada Standard
- Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.) 650 V
- Corriente - Colector Pulsado (Icm) 100 A
- Corriente - Colector (Ic) (Max) 30 A
- Paquete / Estuche TO-3PFM, SC-93-3
- Paquete de dispositivo del proveedor TO-3PFM
- Cargo de puerta 73 nC
- Condición de prueba 400V, 25A, 10Ohm, 15V
- Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 25A
- Energía de conmutación 390µJ (on), 430µJ (off)
- Td (encendido/apagado) a 25°C 35ns/102ns
- Potencia - Máx. 67 W