NXH50C120L2C2ESG
Número de pieza:
NXH50C120L2C2ESG
Clasificación de productos:
Módulos IGBT
Fabricante:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Descripción:
IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
USD
Especificaciones
- Tipo de montaje Through Hole
- Potencia - Máx. 20 mW
- Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
- Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.) 1200 V
- Corriente - Colector (Ic) (Max) 50 A
- Termistor NTC Yes
- Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
- Corriente: corte del colector (máx.) 250 µA
- Configuración Three Phase Inverter with Brake
- Aporte Three Phase Bridge Rectifier
- Paquete / Estuche 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
- Paquete de dispositivo del proveedor 26-DIP
- Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 11.897 nF @ 20 V