GP3D020A065B
Número de pieza:
GP3D020A065B
Clasificación de productos:
Diodos individuales
Fabricante:
SemiQ
Descripción:
DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
USD
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de montaje Through Hole
- Tecnología SiC (Silicon Carbide) Schottky
- Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.) 650 V
- Current - Average Rectified (Io) 20A
- Velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
- Tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
- Temperatura de funcionamiento: unión -55°C ~ 175°C
- Paquete / Estuche TO-247-2
- Paquete de dispositivo del proveedor TO-247-2
- Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si 1.7 V @ 20 A
- Corriente - Fuga inversa @ Vr 50 µA @ 650 V
- Capacitance @ Vr, F 835pF @ 1V, 1MHz