FGL35N120FTDTU
Número de pieza:
FGL35N120FTDTU
Clasificación de productos:
IGBT individuales
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Descripción:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Embalaje:
-
Estado de ROHS:
No
Moneda:
USD
Especificaciones
- Tipo de montaje Through Hole
- Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.) 1200 V
- Paquete / Estuche TO-264-3, TO-264AA
- Tipo IGBT Trench Field Stop
- Tipo de entrada Standard
- Corriente - Colector (Ic) (Max) 70 A
- Cargo de puerta 210 nC
- Corriente - Colector Pulsado (Icm) 105 A
- Paquete de dispositivo del proveedor HPM F2
- Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 35A
- Potencia - Máx. 368 W
- Energía de conmutación 2.5mJ (on), 1.7mJ (off)
- Td (encendido/apagado) a 25°C 34ns/172ns
- Condición de prueba 600V, 35A, 10Ohm, 15V
- Tiempo de recuperación inversa (trr) 337 ns