FGD3N60UNDF

FGD3N60UNDF

Número de pieza: FGD3N60UNDF
Clasificación de productos: IGBT individuales
Fabricante: Sanyo Semiconductor/onsemi
Descripción: IGBT 600V 6A 60W DPAK
Embalaje: -
Estado de ROHS: Sí
Moneda: USD

Especificaciones

  • Tipo de montaje Surface Mount
  • Potencia - Máx. 60 W
  • Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.) 600 V
  • Paquete / Estuche TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • Tipo de entrada Standard
  • Paquete de dispositivo del proveedor TO-252AA
  • Tipo IGBT NPT
  • Corriente - Colector (Ic) (Max) 6 A
  • Tiempo de recuperación inversa (trr) 21 ns
  • Corriente - Colector Pulsado (Icm) 9 A
  • Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic 2.52V @ 15V, 3A
  • Energía de conmutación 52µJ (on), 30µJ (off)
  • Cargo de puerta 1.6 nC
  • Td (encendido/apagado) a 25°C 5.5ns/22ns
  • Condición de prueba 400V, 3A, 10Ohm, 15V