Colección Comparación
UJ3D06512TS
Número de pieza：
UJ3D06512TS
Clasificación de productos：
Productos semiconductores discretos
Fabricante：
UnitedSiC (Qorvo)
Descripción：
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
Embalaje：
Tube
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
PDF:
Comprar de inmediato Añadir al carrito de la compra
Inventario 12201
Mínimo : 0
Cantidad
Precio unitario
Precio
1
4.23
4.23
50
3.35
167.5
100
2.87
287
500
2.55
1275
1000
2.19
2190
2000
2.06
4120
5000
1.98
9900
Especificaciones
  • Paquete / Estuche
    TO-220-2
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Velocidad
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    0 ns
  • Tecnología
    SiC (Silicon Carbide) Schottky
  • 392pF @ 1V, 1MHz
  • 12A
  • Paquete de dispositivo del proveedor
    TO-220-2
  • Temperatura de funcionamiento: unión
    -55°C ~ 175°C
  • Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)
    650 V
  • Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si
    1.7 V @ 12 A
  • Corriente - Fuga inversa @ Vr
    80 µA @ 650 V
  • 13670023222

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Cantidad: {{ val.quantity }}

Presentación

Está vacío.