Colección Comparación
UJ3D06508TS
Número de pieza：
UJ3D06508TS
Clasificación de productos：
Productos semiconductores discretos
Fabricante：
UnitedSiC (Qorvo)
Descripción：
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2
Embalaje：
Tube
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
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Inventario 29814
Mínimo : 0
Cantidad
Precio unitario
Precio
1
1.99
1.99
50
1.58
79
100
1.35
135
500
1.33
665
Especificaciones
  • Paquete / Estuche
    TO-220-2
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Velocidad
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    0 ns
  • Tecnología
    SiC (Silicon Carbide) Schottky
  • 250pF @ 1V, 1MHz
  • 8A
  • Paquete de dispositivo del proveedor
    TO-220-2
  • Temperatura de funcionamiento: unión
    -55°C ~ 175°C
  • Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)
    650 V
  • Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si
    1.7 V @ 8 A
  • Corriente - Fuga inversa @ Vr
    50 µA @ 650 V
  • 13670023222

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