Colección Comparación
GT60N321(Q)
Número de pieza：
GT60N321(Q)
Clasificación de productos：
Productos semiconductores discretos
Fabricante：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción：
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Embalaje：
Estado del RoHS：
None
Moneda：
USD
PDF:
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Inventario 1600
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Consulta rápida
Especificaciones
  • Paquete / Estuche
    TO-3PL
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    2.5 µs
  • Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 60A
  • Paquete de dispositivo del proveedor
    TO-3P(LH)
  • Td (encendido/apagado) a 25°C
    330ns/700ns
  • Corriente - Colector (Ic) (Max)
    60 A
  • Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)
    1000 V
  • Corriente - Colector Pulsado (Icm)
    120 A
  • Potencia - Máx.
    170 W
  • 13670023222

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