Colección Comparación
GT50N322A
Número de pieza：
GT50N322A
Clasificación de productos：
Productos semiconductores discretos
Fabricante：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción：
IGBT 1000V 50A TO3P
Embalaje：
Tray
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
PDF:
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Inventario 1697
Mínimo : 0
Cantidad
Precio unitario
Precio
1
4.68
4.68
10
3.93
39.3
50
3.71
185.5
100
3.18
318
250
3
750
450
2.83
1273.5
950
2.42
2299
2400
2.28
5472
Especificaciones
  • Paquete / Estuche
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    800 ns
  • Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 60A
  • Paquete de dispositivo del proveedor
    TO-3P(N)
  • Corriente - Colector (Ic) (Max)
    50 A
  • Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)
    1000 V
  • Corriente - Colector Pulsado (Icm)
    120 A
  • Potencia - Máx.
    156 W
  • 13670023222

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