Colección Comparación
GT50JR22(STA1,E,S)
Número de pieza：
GT50JR22(STA1,E,S)
Clasificación de productos：
Productos semiconductores discretos
Fabricante：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción：
PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS
Embalaje：
Tube
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
PDF:
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Inventario 1600
Mínimo : 0
Cantidad
Precio unitario
Precio
1
4.7
4.7
25
3.72
93
100
3.19
319
500
2.84
1420
1000
2.43
2430
2000
2.29
4580
Especificaciones
  • Paquete / Estuche
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Temperatura de funcionamiento
    175°C (TJ)
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 50A
  • Paquete de dispositivo del proveedor
    TO-3P(N)
  • Corriente - Colector (Ic) (Max)
    50 A
  • Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)
    600 V
  • Corriente - Colector Pulsado (Icm)
    100 A
  • Potencia - Máx.
    230 W
  • 13670023222

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