Colección Comparación
GT30J341,Q
Número de pieza：
GT30J341,Q
Clasificación de productos：
Productos semiconductores discretos
Fabricante：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción：
IGBT 600V 59A TO3P
Embalaje：
Tray
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
PDF:
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Inventario 1706
Mínimo : 0
Cantidad
Precio unitario
Precio
1
3.33
3.33
10
3
30
25
2.83
70.75
100
2.45
245
300
2.33
699
500
2.09
1045
1000
1.76
1760
2400
1.67
4008
4900
1.61
7889
Especificaciones
  • Paquete / Estuche
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Temperatura de funcionamiento
    175°C (TJ)
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    50 ns
  • Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 30A
  • Paquete de dispositivo del proveedor
    TO-3P(N)
  • Td (encendido/apagado) a 25°C
    80ns/280ns
  • Energía de conmutación
    800µJ (on), 600µJ (off)
  • Condición de prueba
    300V, 30A, 24Ohm, 15V
  • Corriente - Colector (Ic) (Max)
    59 A
  • Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)
    600 V
  • Corriente - Colector Pulsado (Icm)
    120 A
  • Potencia - Máx.
    230 W
  • 13670023222

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