Colección Comparación
GT10J312(Q)
Número de pieza：
GT10J312(Q)
Clasificación de productos：
Productos semiconductores discretos
Fabricante：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción：
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Embalaje：
Estado del RoHS：
None
Moneda：
USD
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Inventario 1600
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Consulta rápida
Especificaciones
  • Paquete / Estuche
    TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    200 ns
  • Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 10A
  • Td (encendido/apagado) a 25°C
    400ns/400ns
  • Condición de prueba
    300V, 10A, 100Ohm, 15V
  • Corriente - Colector (Ic) (Max)
    10 A
  • Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)
    600 V
  • Corriente - Colector Pulsado (Icm)
    20 A
  • Potencia - Máx.
    60 W
  • 13670023222

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